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2012年华中科技大学831电子技术基础考研试题(回忆版)

考研时间: 2012-02-06 来源:查字典考研网

华中科技大学2012年831电子技术基础考研试题(回忆版)

一.填空题(20分)

模拟电路部分:PN反偏时性质,N沟道场效应管的饱和区的条件,串联负反馈及电压负反馈,功率放大电路的导通角问题

数字电路部分:译码器的输入输出关系,存储电路的地址输入线和数据输出线问题,AD转换器精度和对应位数,简单逻辑函数运算(同或异或)。

二.此题源自《电子技术基础》模拟部分P188 的习题4.3.5 图和书上完全相同 只是图(b)中的坐标数据稍微改动了点儿

1,图中的 电阻值(基极,集电极,负载电阻)

2.通带内的 电压增益,输入电阻,输出电阻值

3.电路是最先出现饱和还是截止失真,最大不失真的输出电压的峰-峰值是多少

三.一个单电源供电的运算放大电路,运放的同相输入端是一个并联电路,一路通过电阻R1和电容C1接交流电源Vi,一路 通过电阻R1接直流电源Vcc(10V)。 反相端通过电阻R2和电容C2接地,同时反相端通过反馈电子Rf接到了输出端Vo1,而Vo1通过电容C3和电阻RL接地,电阻RL上的电压为Vo

1.静态时候,求输出端电压Vo1,Vo

2.交流信号时,通带范围的电压增益值。

3.电压增益的幅频相应的大致图像(从两幅图中选择)

4.求放大电路通带内的输入电阻表达式

……

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