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2012年苏州大学080900电子科学与技术考研大纲

考研时间: 2014-08-14 来源:查字典考研网

查字典查字典考研网快讯,据苏州大学研究生院消息,2012年苏州大学电子科学与技术考研大纲已发布,详情如下:

苏州大学硕士研究生入学考试

《半导体物理或集成电路设计原理》科目考查的内容范围

半导体物理部分

(一)基本晶体结构与半导体能带理论

1、掌握晶体的基本结构分类和半导体晶体结构

2、掌握半导体基本能带结构

3、半导体掺杂的基本方法

4、掌握费米统计、费米能级、有效质量、态密度的基本概念

5、掌握基本能带理论

(二)固体的散射机制与半导体的导电理论

1、掌握固体载流子迁移率的基本概念

2、掌握固体载流子散射的基本理论

3、掌握半导体导电率的基本概念

3、掌握半导体热载流子、多能谷效应等的基本概念

(三)非平衡载流子的运动、产生、复合

1、载流子扩散运动与漂移运动的基本理论

2、非平衡载流子的产生、复合

(四)PN结

1、空间电荷区、中性区的基本概念

2、PN结基本电流特性

3、PN结势垒电容与扩散电容的基本概念

4、PN结雪崩击穿与隧道击穿的基本概念

(五)金属半导体接触

1、肖特基结的整流特性

2、金属半导体欧姆接触特性

(六)MOS结构

1、MOS结构的电容特性

2、表面缺陷与散射性质

3、MOS结构的耗尽、积累和反型。

二、集成电路设计原理部分

(一)MOS器件物理基础

1、MOSFET的结构、符号

2、MOS的IV特性

3、二级效应

4、MOS器件模型

(二)单级放大器

1、共源级

2、源跟随器

3、共栅级

4、共源共栅级

(三)差动放大器

1、单端与差动的工作方式

2、基本差动对

3、共模响应

4、MOS为负载的差动对

5、吉尔伯特单元

(四)无源与有源电流镜

1、基本电流镜

2、共源共栅电流镜

3、有源电流镜

(五)数字系统和VLSI设计基础

1、了解VLSI和数字系统

2、了解CMOS半导体技术

3、了解集成电路设计技术的层次化设计、不同抽象层次设计和CAD技术

(六)晶体管和版图

1、掌握晶体管的结构、特性

2、掌握版图的设计方法

3、了解设计规则的制定原则及如何遵守

(七)逻辑门

1、掌握逻辑门的结构

2、了解引线和负载

3、开关逻辑

4、其他的门逻辑(伪nMOS逻辑、DCVS逻辑、多米诺逻辑)

(八)组合逻辑网络

1、掌握组合逻辑网络的设计方法

2、掌握开关逻辑网络的设计方法

3、组合逻辑测试

(九)时序机

1、掌握设计时序机、了解时序系统设计的一般原则

2、锁存器和触发器

3、有限状态机设计

4、时序系统的验证及测试

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