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2015年哈尔滨理工大学0804仪器科学与技术考研大纲

考研时间: 2014-11-12 来源:查字典考研网

查字典查字典考研网快讯,据哈尔滨理工大学研究生院消息,2015年哈尔滨理工大学仪器科学与技术考研大纲已发布,详情如下:

《电子技术基础》考试大纲

适用专业名称:080400仪器科学与技术080804电力电子与电力传动081102检测技术与自动化装置085203仪器仪表工程(专业学位)

085208电子与通信工程(专业学位)

科目代码及名称考试大纲

817电子技术

一.考试目的与要求

考查学生是否具备通信与信息工程、电子科学与技术等相关领域所必要的模拟电子技术基本理论与分析设计方法。测试考生掌握模拟电子技术基本概念、基本分析方法的熟练程度和综合分析解决模拟电子一般性问题的能力。测试考生数字电子技术的基本概念、基本原理的掌握,测试考生数字电路的分析、设计和实际应用能力。

在回答试卷问题时,要求概念准确,逻辑清楚,必要的解题步骤不能省略。电路图应清晰正确。

二.试卷结构(满分150分)

内容比例:

模拟电子技术和数字电子技术两部分,各75分。

试题类型包括:填空题、单选、计算、分析、设计、简答、画波形图等,每年的试题类型从中选几类。

内容比例:

半导体器件及放大电路基础约15%

反馈放大电路约10%

集成运算放大电路及其应用约15%

低频功放、直流电源及正弦波振荡电路约10%

数字电路基本概念及基本原理约20%

组合电路和时序电路的分析、设计约20%

综合应用约10%

题型比例:

1.单项选择题约30分

2.填空题约20分

3.其余约100分

三.考试内容与要求

模拟部分:

(一)半导体器件

考试内容掌握PN结的单向导电性;二极管、三极管的结构、工作原理、主要参数及外部特性。

考试要求

1.了解基本概念:漂自由电子与空穴;复合;漂移运动、扩散运动等。

2.掌握二极管伏安特性;二极管理想模型;二极管典型应用电路;稳压二极管应用电路,双极性晶体三极管和场效应管的结构特点、特性曲线、主要参数及工作原理;晶体三极管的三个工作区-放大区、饱和区、截止区以及安全工作区;

3.了解模拟电子技术应用及其工程性等特点。

考试内容基本门电路、常用组合逻辑电路、时序逻辑电路

考试要求

1.了解基本概念:基本门电路、常用组合电路、时序电路等。

2.掌握门电路的使用、常用组合电路、时序电路的设计、分析。

3.掌握数字电路的设计与分析。

(二)基本放大电路

考试内容

掌握放大电路的静态分析和动态分析。重点掌握基本放大电路的概念、原理和基本分析方法,以及静态工作点、电压放大倍数、输入、输出电阻的计算。理解多级放大电路的各种耦合方式及特点

考试要求

1.掌握放大电路的静态分析和动态分析。

2.能够计算放大电路的静态工作点、电压放大倍数、输入、输出电阻。

3.能够了解多级放大的各种耦合方式及等效模型。

(三)集成运算放大电路

考试内容

熟悉集成运算放大电路的组成及各部分的作用,正确理解主要参数的物理意义及使用注意事项。

考试要求

1.掌握集成运算放大电路输入级、中间级、输出级的构造及特点。。

2.理解零点漂移现象、差分电路的组成、原理及应用、共模信号、差模信号、共模抑制比以及多级放大电路的放大倍数典型二阶系统在单位阶跃函数作用下的响应。

(四)放大电路中的反馈

考试内容

理解反馈的概念、反馈的类型和负反馈对放大器性能的影响,能识别判断电路是否引入了反馈、反馈的性质及负反馈组态。

考试要求

1.掌握负反馈电路的分类判断。深度负反馈放大电路的计算。

2.掌握负反馈对放大电路性能影响。

3.掌握深度负反馈放大电路的计算。

4.能够运用"虚断"、"虚短"的概念进行各种运算电路的分析计算。

(五)信号运算与处理

考试内容

掌握同向、反相比例运算电路、加减运算电路等多种电路的分析计算方法。理解集成运算放大器工作在线性区和非线性区时的分析特点。考试要求

1.掌握集成运算放大器用作:比例、加、减运算功能,熟悉用作:微分、积分、对数、反对数运算功能。

2.掌握理想运算放大器工作在线性区和非线性区时的分析特点。

3.掌握反相与同相负反馈运算放大器基本电路的分析计算。

(六)波形发生

考试内容

理解正弦波、非正弦波电路的设计原理。学会设计同向、反相滞回比较电路。

考试要求

1.掌握RC正弦波振荡器、LC正弦波振荡器、石英晶体正弦波振荡器的工作原理和典型电路结构。

2.能够设计特定参数的单限比较器、滞回比较器。

(七)直流电源

考试内容

掌握桥式整流电路、电容滤波电路工作原理并能计算输出直流电压、直流电流和整流元件参数。

考试要求

1.掌握直流稳压电源的组成及各部分的作用,单相整流、电容滤波电路工作原理及输出直流电压、直流电流和整流元件参数的计算。

2.掌握稳压管稳压电路的组成、工作原理及限流电阻的取值原则。

数字部分:

(一)数字逻辑基础

数字信号、计数制和编码制(了解)

逻辑代数的三种基本逻辑运算(了解)

逻辑代数的基本定律(了解)

逻辑代数的基本规则(了解)

逻辑函数的表示方法;逻辑函数的建立(了解)

逻辑函数的代数和卡诺图法化简(理解)

具有无关项的逻辑函数的简化(理解)

(二)逻辑门电路

逻辑门电路的一般特性(了解)

COMS反相器和COMS门电路的工作原理、输入及输出特性、技术参数(了解、运用)

CMOS传输门、模拟开关、三态门、OD门及CMOS电路的正确使用(理解、运用)

TTL逻辑门电路(理解)

TTL反相器和与非门的工作原理、传输特性(了解、使用)

集电极开路门和三态门(理解、使用)

(三)组合逻辑电路

组合逻辑电路的分析:分析加法器、数据选择器、多路分配器、数据比较器(理解、运用)。

组合逻辑电路的设计:设计编码器、译码器(理解、运用)。

组合逻辑电路中的竞争与冒险:产生竞争、冒险的原因,消除竞争、冒险的方法(理解、运用)。

用MSI器件设计组合逻辑电路:用数据选择器设计其它逻辑电路;用译码器设计其它逻辑电路(理解、运用)。

(四)触发器

基本RS锁存器(掌握)

门控RS锁存器(理解)

触发器的动态特性(理解)

主从JK边沿触发器、边沿D触发器(掌握、运用)

(五)时序逻辑电路

时序逻辑电路的分析:分析计数器;分析寄存器和移位寄存器(掌握、运用)

时序逻辑电路的设计:设计方法概述;一般设计步骤;设计举例(掌握、运用)

用MSI器件设计时序逻辑电路掌握、运用)

(六)半导体存储器

只读存储器ROM:掩膜ROM;可编程ROM(PROM);可擦除可编程ROM(EPROM)(理解,运用)

随机存储器(RAM):静态RAM(SRAM);动态RAM(DRAM)(理解,运用)

存储容量的扩展(理解,运用)

串行存储器(理解,运用)

用存储器实现组合逻辑函数(理解)

(七)可编程逻辑器件

可编程阵列逻辑(PLA)(理解)

通用阵列逻辑(GAL)(理解)

可擦除的可编程逻辑器件(EPLD)(了解)

现场可编程门阵列(FPGA)和在系统可编程逻辑器件(ISP-PLD)(了解)

硬件描述语言VerilogHDL基础(掌握)

用VerilogHDL分析PLD组合逻辑电路(掌握)

用VerilogHDL分析PLD时序逻辑电路(了解)

(八)脉冲波形的产生和整形

单稳态触发器(理解、运用)

施密特触发器(理解、运用)

多谐振荡器(理解、运用)

集成555定时器及应用(理解、运用)

(九)A/D和D/A转换

D/A转换的基本原理、倒T型电阻网络,D/A转换器、集成D/A转换器及主要技术参数(了解、理解)

逐次渐近型A/D转换器、双积分型A/D转换器(理解、运用)

参考书目:

1.《模拟电子技术基础》童诗白高等教育出版社2006;《模拟电子技术基础》房国志国防工业出版社2011

2.《数字电子技术基础》阎石高等教育出版社第四版、第五版均可

专业代码及专业名称复试科目(每套试卷满分100分,考试时间120分钟)
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