考研网快讯，据华中科技大学研究生院消息，2013年华中科技大学半导体芯片系统设计与工艺考研大纲已发布，详情如下：
华中科技大学硕士研究生入学考试《固体物理》考试大纲
第一部分考试说明
一、考试性质
全国硕士研究生入学考试是为高等学校招收硕士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有基本的固体电子学理论基础并有利于在专业上择优选拔。
考试对象为参加2010年全国硕士研究生入学考试的本科毕业生，或具有同等学历的在职人员。
二、考试的学科范围
考试内容包括：晶体结构、倒易点阵与晶体衍射；晶体结合；晶格振动及热学性质；自
由电子费米气体；电子能带论；半导体晶体。考查要点详见本纲第二部分。
三、评价目标
本课程考试的目的是考察考生对固体物理学的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基础知识解决固体电子学领域相关问题的能力。
四、考试形式与试卷结构
1．答卷方式：闭卷，笔试。
2．答题时间：180分钟。
3．各部分内容的考查比例：满分150分晶体结构、倒易点阵与晶体衍射约16%；晶体结合约16%；晶格振动及热学性质约16%；自由电子费米气体约16%；固体电子能带论约16%半导体晶体约20％
4．题型比例简答题（包括概念、模型及物理现象的解释、判断题、简单计算题）40%；证明题20%；计算题40%。
第二部分考查要点
1．晶体结构、倒易点阵与晶体衍射晶格结构的周期性与对称性：初基晶胞、惯用晶胞，晶向与晶面指数；典型的晶体结构；
倒易点阵，布里渊区；布喇格方程与劳厄条件，结构因子与原子形状因子。
2．晶体的结合晶体的结合类型及基本特点；离子晶体内能，马德隆能与马德隆常数、离子半径；分子
晶体内能，Lenard-Jeans势；内聚能与平衡点阵常数。
3．晶格振动及热学性质一维单原子链与双原子链的振动方程、简正模式，光学支与声学支色散关系、长波近似；
点阵振动的量子化，声子，模式密度；固体热容的德拜模型与爱因斯坦模型；非简谐效应与热导率。
4．自由电子费米气体金属电子气的能量状态，费米能与费米波矢，态密度；电子气的内能与热容；欧姆定理
与霍尔效应、电子气的热导率。
5．固体电子能带论布洛赫定理；近自由电子模型，能隙的起因；布洛赫电子在外场下的速度、加速度与有
效质量；金属、半导体和绝缘体的能带结构基本特点；能带计算的紧束缚模型。
6．半导体晶体半导体中电子能量状态、典型半导体晶体的能带特点、半导体中的有效质量；电子和空
穴的平衡统计，本征载流子浓度、迁移率；杂质导电性，非平衡载流子；超晶格的基本类型与能带特点。
第三部分考试样题（略）
华中科技大学硕士研究生入学考试《电子技术基础》考试大纲
一、考试说明
1．考试性质该入学考试是为华中科技大学电子科学与技术一级学科招收硕士研究生而设置的。它的
评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有较好的电子技术理论基础。
考试对象为参加2013年全国硕士研究生入学考试的考生。
4．评价目标本课程考试的目的是考察学生对电子技术的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度
和利用其解决电子技术领域相关问题的能力。
3．考试形式与试卷结构
（1）答卷方式：闭卷，笔试。
（2）答题时间：180分钟。
（3）各部分内容的考查比例：满分150分。模拟电子技术40%
数字电子技术60%
（4）题型：以分析、计算题为主。二、考察要点
1．基本半导体器件
PN结的形成，半导体二极管、半导体三极管和半导体场效应管工作原理，晶体管的开关作用，TTL门电路，MOS门电路
2．基本放大电路微变等效电路，反馈的基本概念及类型判断，负反馈对放大电路性能的影响，频率特性，多级放大电路及其级间耦合，差动放大电路，场效应管及其放大电路
3．集成运算放大器比例运算、加法运算、减法运算、积分运算、微分运算、有源滤波、采样保持、电压比较
4．稳压电源和功率放大电路整流滤波与反馈式稳压电源，开关稳压电源，乙类互补与甲乙类功率放大电路
5．数字逻辑与组合逻辑电路逻辑代数及逻辑运算，逻辑函数的简化，组合逻辑电路的分析与设计，编码器，译码器，
数据选择器，数值比较器，加法器
6．时序逻辑电路与集成器件
RS触发器，D触发器，JK触发器，T触发器，同步时序逻辑电路的分析及设计，计数器、移位寄存器，随机存取存储器（RAM），只读存储器（ROM），可编程逻辑器件
7．信号发生与转换
正弦波振荡器，多谐振荡器，单稳态触发器，施密特触发器，555集成定时器，D/A转换器，A/D转换器。