姓名：张佰君 性别：男 出生年月：1971年7月
职称：教授 学院：理工学院 最后学历：博士
主要研究方向：宽禁带半导体材料与器件
教学科研情况
1997年12月，毕业于吉林大学并获得博士学位。主要从事1.3微米高速高功率InGaAsP/InP半导体激光器的研究工作。
1998年3月至2000年5月，中国科学院半导体研究所，博士后。主要从事半导体激光器芯片高频特性测试及高速封装；DFB激光器与EA调制器集成技术。
2000年5月至2002年5月，日本名古屋工业大学极微构造器件研究中心，日本学术振兴会（JSPS）特别研究员。主要从事硅衬底GaN基发光二极管（LED）的研究工作。
2002年5月至2006年8月，日本名古屋工业大学纳米器件与系统研究中心（原极微构造器件研究中心）研究员。主要从事硅衬底GaN基发光二极管（LED）的研究工作。
2006年9月至今，中山大学，教授。
教学课程: 《现代光电子材料器件微加工技术基础》
承担课题
1.中山大学“百人计划”人才引进科研启动项目
2.国家“863”计划重大项目“半导体照明工程”项目
发表论文
近年发表的论文：
1. B. Zhang, T. Egawa, G. Y. Zhao, N. Nishikawa, M. Adachi, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett., Vol. 79, pp. 2567-2569 (2001)
2. B. Zhang, T. Egawa, H. Ishikawa, N. Nishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Phys. Stat. Sol. (a) 188, No. 1, pp. 151-154 (2001).
3. G. Wang, T. Ogawa, K. Murase, K. Hori, T. Soga, B. Zhang, G. Zhao, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 40 (8), Part 1, pp. 4781-4784 (2001).
4. T. Egawa, B. Zhang, N. Nishikawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Appl. Phys., Vol. 91, No. 1, pp. 528-530 (2002).
5. B. Zhang, T. Egawa, H. Ishikawa, Y. Liu, and T. Jimbo, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42, Part 2, 3A, pp. L226-L228 (2003).
6. B. Zhang, T. Egawa, Y. Liu, H. Ishikawa, and T. Jimbo, Phys. Stat. Sol. (c) 0, No. 7, pp. 2244-2247 (2003).
7. H. Ishikawa, B. Zhang, T. Egawa, and T. Jimbo, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42, Part 1, No. 10, pp 6413-6414, (2003).
8. B. Zhang, T. Egawa, H. Ishikawa, Y. Liu, and T. Jimbo, J. Appl. Phys., Vol. 95, No. 6, pp. 3170-3174 (2004).
9. Y. Liu, T. Egawa, H. Ishikawa, B. Zhang, and M. Hao, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43, Part 1, 5A, pp. 2414-2418 (2004).
10. Y. Liu, T. Egawa, H. Ishikawa, H. Jiang, B. Zhang, M. Hao, and T. Jimbo, Journal of Crystal Growth, 264(1-3), pp. 159-164(2004).
11. H. Ishikawa, K. Asano, B. Zhang, T. Egawa, and T. Jimbo, Phys. Stat. Sol. (a) 201, No. 12, pp. 2653-2657 (2004).
12. H. Ishikawa, B. Zhang, K. Asano, T. Egawa, and T. Jimbo, Journal of Crystal Growth, 272, pp. 322-326 (2004).
13. Y. Liu, T. Egawa, H. Jiang, B. Zhang, H. Ishikawa, and M. Hao, Appl. Phys. Lett. 85, 6030 (2004).
14. M. Hao, H. Ishikawa, B. Zhang, T. Egawa, Physica Status Solidi (c), 1(10), 2397-2400, (2004).
15. Y. Liu H. Jiang, S. Arulkumaran, T. Egawa, B. Zhang, and H. Ishkawa, Appl. Phys. Lett. 86, 223510 (2005).
16. B. Zhang, T. Egawa, H. Ishikawa, Y. Liu, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett., Vol.86, 071113 (2005)
17. T. Egawa, B. Zhang, H. Ishikawa, IEEE Electron Device Letters, Vol. 26, pp. 169-171 (2005).
18. Y. Liu, H. Jiang, T. Egawa, B. Zhang, and H. Ishikawa, Journal of Applied Physics, Vol. 99, pp.123702 (2006.06)
19. Y. Liu, , H. Jiang, B. Zhang and H. Ishikawa, T. Egawa Japanese Journal of Applied Physics, Vol.45, pp.5728 (2006.07)