姓名：江灏 性别：男 职称：教授
学院：理工学院 最后学历：博士
主要研究方向：宽禁带化合物半导体材料与器件
研究重点:
1.GaN基(Al,In)GaN半导体材料的MOCVD外延生长及其特性表征；
2.高性能AlGaN太阳盲紫外光探测器的制作及其性能评价；
3.GaN基大功率电子器件的制作及其性能评价.
每年计划招收博士后1-2名，博士研究生2-3名，硕士研究生3-5名。
承担课题
中山大学“百人计划”二层次引进人才科研启动项目
国家自然科学基金 面上项目
国家“863”计划创新研究项目
广东省重大科技专项
发表论文
1. S. Senda, H. Jiang, and T. Egawa, “AlInN-based ultraviolet photodiode grown by metal organic chemical vapor deposition”, Appl. Phys. Lett. 92, 203507 (2008).
2. H. Jiang and T. Egawa, “Low dark current high performance AlGaN solar-blind p-i-n photodiodes”, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 47, 1541 (2008).
3. H. Jiang and T. Egawa, “High quality AlGaN solar-blind Schottky photodiodes fabricated on AIN/sapphire template”, Appl. Phys. Lett. 90, 121121 (2007).
4. H. Jiang, T. Egawa, and H. Isikawa, “AlGaN solar-blind Schottky photodiodes fabricated on 4H-SiC”, IEEE Photonics Technol. Lett. 18, 1353 (2006).
5. H. Jiang and T. Egawa, “Demonstration of large active area AlGaN solar-blind Schottky photodiodes with low dark current”, Electron. Lett. 42, 1120 (2006).
6. Y. Liu, T. Egawa, and H. Jiang, “Enhancement-mode quaternary AlInGaN/GaN HEMT with non-recessed-gate on sapphire substrate”, Electron. Lett. 42, 884 (2006).
7. Y. Liu, H. Jiang, T. Egawa, B. Zhang, and H. Ishikawa, “Al composition dependent properties of quaternary AlInGaN Schottky diodes”, J. Appl. Phys. 99, 123702 (2006).
8. H. Jiang, T. Egawa, M. Hao, and Y. Liu, “Reduction of threading dislocations in AlGaN layers grown on AlN/sapphire templates using high-temperature GaN interlayer”, Appl. Phys. Lett. 87, 241911 (2005).