查字典查字典考研网快讯，据华中科技大学研究生院消息，2015年华中科技大学半导体芯片系统设计与工艺考研大纲（官网）已发布，详情如下：
华中科技大学硕士研究生入学考试《固体物理》考试大纲
第一部分考试说明
一、考试性质
全国硕士研究生入学考试是为高等学校招收硕士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者
具有基本的固体物理理论基础并有利于在专业上择优选拔。考试对象为参加2014年全国硕士研究生入学考试的本科毕业生，或具有同等学历的在职人员。
二、考试的学科范围
考试内容包括：晶体结构、倒易点阵与晶体衍射；晶体结合；晶格振动及热学性质；自由电子费米气体；电子能带论。考查要点详见本纲第二部分。
三、评价目标
本课程考试的目的是考察考生对固体物理学的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基础知识解决固体物理领域相关问题的能力。
四、考试形式与试卷结构
1答卷方式：闭卷，笔试。
2答题时间：180分钟。
3各部分内容的考查比例：满分150分
晶体结构、倒易点阵与晶体衍射约20%；
晶体结合约20%；
晶格振动及热学性质约20%；
自由电子费米气体约20%；
固体电子能带论约20%
4题型比例
简答题（包括概念、模型及物理现象的解释、判断题、简单计算题）40%；
证明题20%；计算题40%。
第二部分考查要点
1晶体结构、倒易点阵与晶体衍射
晶格结构的周期性与对称性：初基晶胞、惯用晶胞，晶向与晶面指数；典型的晶体结构；倒易点阵，布里渊区；布喇格方程与劳厄条件，结构因子与原子形状因子。
2晶体的结合
晶体的结合类型及基本特点；离子晶体内能，马德隆能与马德隆常数、离子半径；分子晶体内能，Lenard-Jeans势；内聚能与平衡点阵常数。
3晶格振动及热学性质
一维单原子链与双原子链的振动方程、简正模式，光学支与声学支色散关系、长波近似；点阵振动的量子化，声子，模式密度；固体热容的德拜模型与爱因斯坦模型；非简谐效应与晶格振动的热导率。
4自由电子费米气体
金属电子气的能量状态，费米能与费米波矢，态密度；电子气的内能与热容；欧姆定理与霍尔效应、电子气的热导率。
5固体电子能带论
布洛赫定理；近自由电子模型，能隙的起因；能带计算的紧束缚模型；布洛赫电子的速度、加速度与有效质量；金属、半导体和绝缘体的能带结构基本特点。
第三部分考试样题（略）
华中科技大学硕士研究生入学考试《电子技术基础》考试大纲
一考试说明
1.考试性质考试性质考试性质考试性质
该入学考试是为华中科技大学电子科学与技术一级学科招收硕士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有较好的电子技术理论基础。
考试对象为参加2010年全国硕士研究生入学考试的考生。
3.评价目标
本课程考试的目的是考察学生对电子技术的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用其解决电子技术领域相关问题的能力。
4.考试形式与试卷结构
（1）答卷方式：闭卷，笔试。
（2）答题时间：180分钟。
（3）各部分内容的考查比例：满分150分。
模拟电子技术40%
数字电子技术60%
（4）题型：以分析、计算题为主。
二考察要点
1.基本半导体器件PN结的形成，半导体二极管、半导体三极管和半导体场效应管工作原理，
晶体管的开关作用，TTL门电路，MOS门电路
2.基本放大电路
微变等效电路，反馈的基本概念及类型判断，负反馈对放大电路性能的影响，频率特性，多级放大电路及其级间耦合，差动放大电路，场效应管及其放大电路
3.集成运算放大器
比例运算、加法运算、减法运算、积分运算、微分运算、有源滤波、采样保持、电压比较
4.稳压电源和功率放大电路稳压电源和功率放大电路稳压电源和功率放大电路稳压电源和功率放大电路整流滤波与反馈式稳压电源，开关稳压电源，乙类互补与甲乙类功率放大电路
5.数字逻辑与组合逻辑电路
逻辑代数及逻辑运算，逻辑函数的简化，组合逻辑电路的分析与设计，编码器，译码器，数据选择器，数值比较器，加法器
6.时序逻辑电路与集成器件
RS触发器，D触发器，JK触发器，T触发器，同步时序逻辑电路的分析及设计，计数器、移位寄存器，随机存取存储器（RAM），只读存储器（ROM），可编程逻辑器件
7.信号发生与转换信号发生与转换信号发生与转换信号发生与转换
正弦波振荡器，多谐振荡器，单稳态触发器，施密特触发器，555集成定时器，D/A转换器，A/D转换器。
华中科技大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲
科目名称：半导体物理
代码：901
第一部分考试说明
一、考试性质
全国硕士研究生入学考试是为高等学校招收硕士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有基本的半导体物理基础并有利于在专业上择优选拔。考试对象为参加2013年全国硕士研究生入学考试的本科毕业生，或具有同等学历的在职人员。
二、考试的学科范围
考试内容包括：半导体中的电子状态、半导体中杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、非平衡载流子、pn结、金属和半导体的接触、半导
体表面与MIS结构、半导体异质结构、半导体的光学性质和光电与发光现象、半导体的热电性质。
三、评价目标
本课程考试的目的是考察考生对半导体物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基础知识解决电子科学与技术相关问题的能力。
四、考试形式与试卷结构
1答卷方式：闭卷，笔试。
2答题时间：150分钟。
3总分：满分150分
4题型比例
名词解释25、判断题10、填空题20、证明题20、作图及说明题25、计算题
25、论述题25
第二部分考查要点
1半导体中的电子状态
半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有效质量；本征半导体的导电机构、空穴；回旋共振；硅和锗的能带结构；Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体的能带结构；Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构；Si1-xGex合金的能带；宽禁带半导体材料。
2半导体中杂质和缺陷能级
硅、锗晶体中的杂质能级；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级；氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级；缺陷、位错能级。
3半导体中载流子的统计分布
状态密度；费米能级和载流子的统计分布；本征半导体的载流子浓度；杂质半导体的载流子浓度；一般情况下的载流子统计分布；简并半导体；电子占据杂质能级的
概率。
4半导体的导电性
载流子的漂移运动和迁移率；载流子的散射；迁移率与杂质浓度和温度的关系；电阻率及其与杂质浓度和温度的关系；玻耳兹曼方程、电导率的统计理论；强电场下的效应、热载流子；多能谷散射、耿氏效应。
5非平衡载流子
非平衡载流子的注入与复合；非平衡载流子的寿命；准费米能级；复合理论；陷阱效应；载流子的扩散运动；载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式；连续性方程式；硅的少数载流子寿命与扩散长度。
6pn结
pn结及其能带图；pn结电流电压特性；pn结电容；pn结击穿；pn结隧道效应。
7金属和半导体接触
金属半导体接触及其能级图；金属半导体接触整流理论；少数载流子的注入和欧姆接触。
8半导体表面和MIS结构
表面态；表面电场效应；MIS结构的C–V特性；硅–二氧化硅系统的性质；表面电导及迁移率；表面电场对pn结特性的影响。
9半导体异质结构
半导体异质结及其能带图；半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性；半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性；半导体应变异质结构；GaN基半导体异质结
构；半导体超晶格。
10半导体的光学性质和光电与发光现象
半导体的光学常数；半导体的光吸收；半导体的光电导；半导体的光生伏特效应；
半导体发光；半导体激光；半导体异质结在光电子器件中的应用。
11半导体的热电性质
热电效应的一般描述；半导体的温差电动势率；半导体的珀耳帖效应；半导体的汤姆逊效应；半导体的热导率；半导体热电效应的应用。
第三部分考试样题（略）