科目名称：微电子学与固体电子学综合
第一部分： 半导体集成电路复试大纲（参加微电子学复试的考生参考）
一、考试的总体要求
“半导体集成电路”是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括“晶体管原理”、“半导体集成电路”。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。
二、考试内容及比例
（一）晶体管原理（30%）
1.PN结
（1）PN接触电势差VBJ形成；
（2）理想和实际二极管电流电压方程，非平衡清况电流随电压变化规律。
（3）PN结击穿机理。
2.双极晶体管直流特性
（1）晶体管中的电流传输
（2）晶体管电流增益
3.晶体管频率特性和瞬变特性
（1）晶体管交流特性理论分析
掌握混合 模型及各参数的意义
（2）共发射极短路电流放大系数及其截止频率
（3）晶体管开关时间
4.MOS场效应晶体管
（1）MOS场效应晶体管基本工作原理、类型。
（1）MOSFET的阈值电压定义、表达式、VBS的影响
（2）MOSFET的伏安特性
能够解释输出特性曲线，理解萨之唐方程的求解过程和适用范围；了解MOSFET的击穿机理。
（3）短沟道效应的定义和影响
（二）半导体集成电路（70%）
1.集成电路中的晶体管及其寄生效应
（1）集成双极晶体管的有源寄生效应
（2）集成电路中的PNP管
（3）肖特基势垒二极管和肖特基箝位晶体管
2.晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路
（1）TTL与非门，
（2）STTL 电路
3.发射极耦合逻辑（ECL）电路工作原理
4.MOS倒向器及其基本逻辑单元
（1）7.2 E/D反相器
（2）7.3 CMOS反相器
（3）7.5 动态反相器
（4）8.1 NMOS逻辑结构
（5）8.2 CMOS逻辑结构
（6）8.4 影响门的电气和物理结构设计的因素
（7）8.6传输门逻辑
（8）9.4 寄存器
5.模拟集成电路中的基本单元
（1）12.1.2 MOS管放大器
（2）12.2 恒流源电路
（3）12.3 偏置电压源和基准电压源电路
6.集成运算放大器
（1）13.1运算放大器的输入级
（2）13.2运算放大器的输出级电路
（3）13.3.1 741型通用集成运放
（4）13.4.4 CMOS集成运放
三、试卷题型及比例
1、简答题：30%
2. 论述题：45%
3. 计算、综合题：20%
4. 设计题：5%
四、考试形式及时间
笔试 考试时间1小时
五、主要参考材料
1.《微电子技术基础-双极、场效应晶体管原理》，曹培栋编著，电子工业出版社或《晶体管原理》，张屏英，周右谟编著，上海科学技术出版社
2.《半导体集成电路》，朱正涌编著，清华大学出版社
第二部分： 微电子学与固体电子学复试大纲（参加微电子学与固体电子学专业复试的考生参考）
一、考试的总体要求
本复试大纲包括“薄膜电子技术”、“功能材料理论基础”两门课程内容，是微电子学与固体电子学专业的主干课程。本课程的考试目的是考察学生对基本理论、基本知识、基本技能的掌握情况，考察学生分析问题解决问题的能力。
二、考试内容及比例
（一） 薄膜电子技术（70%）
1.薄膜的制备技术：
1）真空技术基础：真空的获得，真空度的表征和检测，
2）物理气相沉积镀膜技术：真空蒸发镀膜原理，蒸发特性及参数，合金及化合物蒸发。溅射镀膜类型及原理、特点，溅射特性参数。离子镀膜原理、特点。
3）化学气相沉积镀膜技术：不同类型化学气相沉积镀膜方法原理及特点（LPCVD，PECVD，MOCVD）
4）溶液镀膜法：化学镀，溶胶-凝胶法，LB膜的制备原理。
2.薄膜形成理论：
1）薄膜的形成过程，薄膜的形成与生长形式。
2）薄膜的结构与缺陷：薄膜的组织结构、晶体结构、表面结构，薄膜的缺陷及产生机理。
3.薄膜结构与化学组分检测方法：X射线衍射法，扫描电子显微镜法，俄歇电子能谱法，
X射线光电子能谱法
（二）功能材料理论基础（30%）
1. 相律与相平衡的基本概念
2. 二元系统的杠杆规则和基本类型
（1）具有低共熔点的系统
（2）形成连续固溶体的系统
（3）形成不连续固溶体的系统
3. 固溶体
（1）置换型固溶体形成连续固熔体的条件
（2）填隙型固溶体
（3）固溶体的性质和研究方法
4. 烧结的理论基础
（1）烧结过程
（2）烧结的推动力
（3）影响烧结的因素
三、试卷题型及比例
1、选择，填空题：10%
2、简答题：30%
3、论述题：45%
4、综合题：15%
四、考试形式及时间
笔试 考试时间1小时
五、主要参考材料
1、《薄膜物理与技术》，杨邦朝编著，电子科技大学出版社
2、《功能材料理论基础》，自编教材