| 姓名： | 孙治湖 |
| 职称： | 副研究员 |
| 电话： | 0551--3601992-1062 |
| 传真： | 0551--5141078 |
| 邮箱： | zhsun@ustc.edu.cn |
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个人详细信息
1．个人学习、工作及研究经历：
1975年1月1日生，湖南益阳人。1993年考入中国科学技术大学材料科学与工程系，2000年7月于该系获得硕士学位，随后进入中国科学技术大学国家同步辐射实验室攻读博士学位。2004年1月博士毕业后，留在国家同步辐射实验室工作。从2002年3月至2003年3月在日本产业技术总合研究所（AIST）进行博士联合培养，2007年10月至2009年9月，在日本AIST进行博士后研究工作。
2．主要研究方向：
功能材料的生长、相变等动态过程的原位动力学研究，磁性半导体的结构和性能及其相互关系，IV和III-V族半导体薄膜材料的结构特征等研究领域。
3．代表性科研成果：
（1）设计、发展和利用原位化学反应发生装置，深入研究了Au、CdSe等金属和半导体纳米颗粒在初期成核和生长的动力学过程，在J．Am．Chem．Soc．、J．Phys．Chem．C和Appl．Phys．Lett．等国际高影响力杂志上发表了系列研究论文。
（2）利用变温原位同步辐射XAFS装置，成功地研究了高温退火法制备的高纯VO2材料在升温和降温过程中的原子结构和电子结构信息以及变化规律，在物理学科国际顶级刊物上发表研究论文[Phys．Rev．Lett．105, 226405 （2010）]。
（3）从理论和实验两方面研究了一系列半导体、磁性半导体材料的结构、性能及其相互关系，在Phys．Rev．B和Appl．Phys．Lett．等著名杂志上发表了一系列研究论文。
（4）在利用多重散射XAFS方法研究IV和III-V族半导体薄膜、量子点以及超硬多层膜的初期生长机理、界面扩散行为、晶格畸变等研究领域，以第一作者在凝聚态物理学领域的top期刊Phys．Rev．B上发表了连续论文。