一、单位简介
中国航天科技集团公司第一研究院（以下简称“一院”）创建于1957年11月16日，地处北京市丰台区，是我国最大的导弹武器和运载火箭研究、设计、试制、实验和生产基地，是中国航天的发祥地。60年来，在党中央、国务院、中央军委的亲切关怀和正确领导下，在全国各有关部门、单位的大力协同下，经过几代航天人的艰苦奋斗和顽强拼搏，一院从无到有、从小到大、从弱到强，先后研制了10余种长征系列运载火箭，形成了长征火箭系列型谱，能发射近地轨道、太阳同步轨道、地球同步转移轨道卫星或航天器；实现了从常规推进剂到低温推进剂、从串联到捆绑、从一箭单星到一箭多星、从发射卫星到发射载人飞船的技术跨越，奠定了中国航天事业发展的基础，使中国航天发射技术处于世界先进水平。一院现有13个中央在编事业单位（含院本级），3个预算内企业单位，6个院属非法人实体单位，3个院级全资公司，4个院级控股公司，两家上市公司。
一院从1981年开始招收研究生，是国内最早培养研究生的科研单位之一，经过三十多年的发展，建立了具有航天特色的研究生培养模式，形成了具有航天特色的教学体系，以及学科专业、管理体制配套齐全的硕士、博士和博士后人才培养体系。一院现有“航空宇航科学与技术”和“控制科学与工程”2个博士学位授权一级学科，“仪器科学与技术”、“材料科学与工程”、“机械工程”、“电子科学与技术”、“计算机科学与技术”、“兵器科学与技术”、“航空宇航科学与技术”和“控制科学与工程”8个硕士学位授权一级学科，以及“工程力学”和“制冷及低温工程”2个硕士学位授权二级学科，拥有2个博士后科研流动站和4个博士后科研工作站，拥有包括7名院士、国家级专家20余人在内的博士生导师80余人，硕士生导师300余人的导师队伍，现有17家研究生培养单位（含部分六院、九院单位）。自招生以来，已培养博士、硕士研究生1800余名，他们当中走出3位院士，取得各种专家称号的有100余人，担任型号主任设计师或厂所级以上领导职务的有200余人，已成为一院科研和管理工作的重要力量，也为航天事业的发展输送了一批批高层次人才。
硕士研究生在学期间免收学费，享受我院较为优厚的生活补贴及各种福利待遇，享受北京市城镇居民医疗保险。毕业后一般择优留培养单位工作。
我们热切期望有志于祖国航天事业的优秀青年报考一院硕士研究生！
二、报考须知
1.一院各学科（专业）均招收国家计划内学术型研究生，学制三年。
2.一院各招生学科（专业）均优先接收国家重点高校推免生，请具有推免资格的考生直接与一院研招办或培养单位联系。
3.凡可以任选的考试科目，考生在报名时应注明选考科目的名称和代码，如未注明则由一院指定。
4.考生在报名时，培养方式为非定向培养，并在备注栏填写相关报考部所。具体报考程序参见国家教育部、北京教育考试院或当地省招办当年的相关招生文件规定。
三、专业课复习范围和参考书
1.自动控制原理（901）
2复习范围：
控制系统的传递函数、过渡过程、误差分析、根轨迹法和频率特性法、综合与校正、非线性控制系统的分析、线性离散系统的分析、李雅普洛夫稳定性分析，现代控制理论基础（占20%，不考最优化控制及滤波估计）。
2.信号与系统（903）
2复习范围：
信号；连续时间系统的时域分析；傅氏变换及其应用——滤波、调制与抽样；拉氏变换与S域分析；离散时间系统的时域分析；Z变换及Z域分析。
3.材料力学（904）
2复习范围：
轴向拉压应力与材料的力学性能，轴向拉压变形，扭转，弯曲内力、应力、变形，应力应变状态分析，复杂应力状态强度问题，压杆稳定性，能量法，静不定问题分析，应力分析的试验方法，疲劳与断裂。
4.理论力学（905）
2复习范围：
各种力学平衡，滑动摩擦与滚动摩擦，重心，点的运动，刚体的运动，质点的运动微分方程，质点直线振动，碰撞，动力学普遍定理，达朗贝尔原理，虚位移原理，点在非惯性坐标系中的运动，第二类拉格朗日方程。
5.工程热力学（907）
2复习范围：
基本概念及气体的基本性质、热力学第一定律、气体的热力过程、热力学第二定律、气体的流动、气体动力循环、实际气体和水蒸气、完全气体混合物及湿空气、热力学一般关系式、蒸汽动力循环、制冷循环、热化学、化学平衡、气体分子运动论简介。
6.电子技术基础（908）
2复习范围：
1.模拟电子技术基础部分（占50%）：二极管、三极管基本放大电路和多级放大电路，集成电路运算放大器，反馈放大电路，信号的运算和处理电路（场效应管放大电路，功率放大电路，信号产生电路，直流稳压电源等不作要求）。
2.数字电子技术基础部分（占50%）：数字逻辑基础，逻辑门电路，组合逻辑电路的分析和设计，常用组合逻辑功能器件，触发器，时序逻辑电路的分析与设计，常用时序逻辑功能器件（存储器，可编程逻辑器件，脉冲波形数模与模数转换及数字系统设计等不作要求）。
7.计算机学科专业基础综合（909）
2复习范围：
1.计算机组成原理部分（占40%）：计算机的发展历程、系统层次结构、性能指标；数制与编码，定点数、浮点数的表示和运算，算术逻辑单元ALU；存储器的分类，存储器的层次化结构，半导体随机存取存储器，双口RAM和多模块存储器，高速缓冲存储器（Cache），虚拟存储器；CISC和RISC的基本概念，指令格式和寻址方式；CPU的功能和基本结构，指令执行过程，数据通路的功能和基本结构，控制器的功能和工作原理，指令流水线，多核处理器的基本概念；总线概述，总线仲裁，总线操作和定时，总线标准；I/O系统基本概念，外部设备，I/O控制器,I/0方式。
2.数据结构部分(占40%)：线性表的定义、实现和基本操作；栈、队列和数组的基本概念、存储结构和应用；树的基本概念，二叉树的定义、存储结构和应用；图的基本概念、存储、基本操作和应用；查找的基本概念，常见查找算法的比较及应用；排序的基本概念，常见排序算法的比较和应用。
3.计算机网络部分（占20%）：计算机网络的概念、组成、功能与分类；网络标准化工作；计算机网络分层结构和参考模型、协议、接口、服务；物理层基本概念；奈奎斯特定理、香农定理；信源、信道、信宿的基本概念；编码与调制的基本概念；电路交换、报文交换、分组交换、数据报与虚电路的基本概念；常见传输介质的基本特性；常见物理层设备；数据链路层功能；差错控制、流量控制与可靠的传输机制；介质访问控制协议；以太网和交换机的基本概念；网络层功能；常见网络层路由算法；IP协议、ICMP协议、ARP协议、DHCP协议；IP组播基本原理、特点及用途；常见网络层设备；传输层功能；UDP协议、TCP协议；网络应用模型；DNS、FTP、SMTP、POP3、HTTP等协议。
8.工程流体力学（911）
2复习范围：
流体的主要物理性质，流体静、动力学、运动学，管内流动的能量损失，孔口、喷嘴流动，相似原理及因次分析法，气体动力学基础，一维定常流的基本方程，膨胀波和激波，管内流动，粘性气体，动力学方程。
9.高分子物理与高分子化学（914）
2复习范围：
（1）高分子物理：
高分子链的近程结构、远程结构、链构象；高聚物的凝聚态结构；高聚物的分子运动；高聚物的力学性能；高聚物的流变性；高聚物的介电性能和导电性能；高聚物的热性能；高分子溶液；高聚物的分子量和分子量分布。
（2）高分子化学：
逐步聚合反应；自由基聚合；自由基共聚合；聚合方法；离子聚合；配位聚合；开环聚合；聚合物的化学反应。
10.传感器（916）
2复习范围：
传感器原理、特点，电路2-12章，传感器的数学模型与特性。
11.无机材料的物理性能（920）
2复习范围：
热力学、化学平衡、晶体结构和缺陷、相图与相变、无机非金属材料基本性能等。
12.粉末冶金原理（921）
2复习范围：
粉末的制取：粉末性能及其测定；粉末压制压力与压坯密度的关系、压制过程中力的分析；粉末等静压成形、注射成形等特殊成形；粉末烧结过程的热力学基础、烧结机构、单元系烧结、多元系固相烧结；粉末锻造工艺、粉末锻造过程的塑性理论、断裂、变形机构等。
13.MEMS技术（922）
2复习范围：
《MEMS技术及其应用》第1-7章。
14.光电子技术（925）
2复习范围：
光纤传输及光通信基础，物理光学（干涉、偏振、波动方程），激光原理、激光器、激光技术，光探测技术，光电子器件，光纤传感技术，光电子技术应用等。
15.激光原理（927）
2复习范围：
激光基本原理（光的相干性、受激辐射以及光放大和振荡的基本概念），激光振荡特性（激光线宽、频率牵引激光形成过程等），激光放大特性，激光器特性的控制与改善（模式选择、稳频及注入锁定等），典型激光器。
16.电工基础（928）
2复习范围：
电路的基本概念和基尔霍夫定律，线性电路，正弦电流电路，非正弦周期电动势作用下线性电路的分析，受控源电路的分析方法，网络拓扑和矩阵分析，静电场及导电介质中的恒定电势，恒定磁场和时变电磁场。
17.光学技术理论（929）
2复习范围：
1、几何光学基础部分（占50%）：几何光学基本定律，惠更斯原理和费马原理，成像的基本概念，理想光具组理论，光学透镜及光学仪器，几何像差，光度学基本概念，像的亮度和照度。
2、物理光学基础部分（占50%）：波动光学基本原理，定态光波与复振幅描述，波前的概念，波的迭加和波的干涉，光的衍射现象和惠更斯-菲涅耳原理，光学仪器的像分辨本领，光的横波形与偏振态，光在介电表面的反射和折射。