胡冬青，女，副研究员，1988年兰州大学理论物理专业毕业，2002年兰州大学凝聚态物理专业硕士毕业，2005年兰 州大学微电子学与固体电子学专业博士毕业。1988年本科毕业后在兰州铁道学院（现兰州交通大学）从事大学物理教学与实验工作。1999—2005年在兰州大学从事功率半导体器件——静电感应器件（SIT、BSIT、SITH、SIPT）的研究，2005年到现在，在北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室从事MOSFET、IGBT、FRD等新型功率半导体器件研究，期间2007年-2008年应邀到香港科技大学做访学，进行内透明集电区IGBT的合作研究。
目前主要研究方向为功率半导体器件与功率集成电路，近几年参加过多项国家、省部级、市级项目研究，发表学术论文20余篇，其中半数以上被SCI、EI、ISTP检索。
目前在研项目：
国家自然科学基金面上项目：内透明集电区IGBT——一类新结构IGBT
与企业合作横向项目：智能功率模块研究；功率快恢复二极管FRD研制。
目前主讲课程：《专业概论》（面向本科生），《功率集成电路》（面向研究生）
Email：hudongqing@bjut.edu.cn