姓名：张进成 性别：男
职称：教授 学院：微电子学院
研究方向：宽禁带半导体功率器件与电路设计
西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室副主任，2007年入选教育部新世纪优秀人才计划。1976年7月出生，陕西省富平人，分别于2001年、2004年在西安电子科技大学获得微电子学与固体电子学硕士和博士学位，2009年6月破格晋升为教授。2005年获陕西省高等学校优秀青年教师和校十佳青年教师称号。 先后承担和参与了省部级以上科研项目20余项，其中，作为负责人主持国家级项目2项、省部级项目4项。作为主要负责人之一，成功研制出我国具有自主产权的低缺陷氮化物材料生长的表面反应增强MOCVD设备和高铝组份GaN异质结构微波材料，性能指标达到了国际先进水平。获国家技术发明二等奖1项、省部级科技奖4项；获授权国家发明专利7项，受理国家发明专利7项；发表论文50余篇，其中SCI收录30余篇。