姓名：张金风 性别：女
职称：副教授 学院：微电子学院
研究方向：GaN电子材料和器件，（Al)GaN短波长激光材料和器件
张金风，女，1977年出生。2006年获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位，随后在西安电子科技大学微电子学院任教，2008年被评为副教授。2009年2月～2010年1月在英国Sheffield大学做普访合作研究。
主持了西安应用材料创新基金、高校博士点新教师基金等项目，参与了国家973 计划、电子发展基金、自然科学基金重点项目等项目。2009年优化AlGaN多量子阱激光材料获得低阈值紫外受激发射的研究成果被semiconductor today等科技网站引用报道（http://www.semiconductor-today.com/news_items/2009/OCT/SHEFFIELD_281009.htm），2010－2011年研究获得性能达到国际水平的InAlN/GaN电子材料和器件。2006年－2011年在Applied Physics Letters, Chinese Physics（B）, 物理学报，中国科学，半导体学报等期刊发表论文二十余篇，申请专利四项。