题型 填空（30）名词解释（30）证明画画（90）
一、大题:
1.画MOSEFT剖面图，输出曲线，转移曲线，分析工作原理
2.画pnp的共基组态 共射组态 输出曲线并标出饱和 截止 放大区
3.画出mos的三种能态图（积累，耗尽，反型 ）n p 都要画
4.从能带理论说明 金属 半导体 绝缘体导电的不同
5.证明爱因斯坦方程
6，证明金半（n）接触加反向偏压下，杂质的情况 (式子不好打)
二、名词解释
1.霍尔
2.Early
3.简并半导体
4.施主受主
5. 欧姆接触
三、填空
1.（）反应在电场下运动难易的物理量，()反应在浓度梯度下运动难易的物理量，它们的关系是（ ）
2.散射包括（）（）。
3.ni=n0p0,在（）状态下成立，nopo的乘积与杂质浓度是否有关（），与温度是否有关（）。
4.电子占据的半满带能带最高的叫（），没被电子占据的能带能量最低的是（），这两个能带之间没有啥啥的区域叫（）
5. （暂缺）
6. （暂缺）
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