个人简介
王海云，女，2005年毕业于中国科学技术大学近代物理系核与粒子物理专业，获理学博士学位。在读期间，专攻的方向为宽禁带半导体的缺陷研究。
研究方向及主要成果
研究方向：利用正负电子湮没技术研究宽禁带半导体近表面的缺陷演变。
其中主要成果为：
其中第一作者:Al/GaSb Contact with Slow Positron Beam，Chinese Journal of Chemical Physics，2006，19（2）：169-172(SCI)
Defect Characterization of 6H-SiC Studied by Slow Positron Beam，Chinese Journal of Chemical Physics ，2008，21（4）：333-338 (SCI) 1
GaN/SiC异质结的慢正电子研究 物理学报，2008，57（9）：5906-5910(SCI)
6H-SiC γ辐照的正电子研究 南邮学报，2008. 28(6):34-36 (EI)
第二作者： Lowest Landau level scaling of the fluctuation conductivity for RFeAsO (R = Nd, Pr, Sm) superconductors，Physics Letters A, 2010, 374: 3529–3532, (SCI)
Paraconductivity of doped LaOFeAs superconductors Solid State Communications, 2011, 151: 1–4, (SCI)
参加项目：
宽禁带半导体的缺陷研究（NY207010），南京邮电大学攀登计划项目 2007.3-2008.12 主持
用于高分辨率全彩色微型显示器的聚合物发光器件（60706017） 国家自然科学基金资助项目 2008.1-2010.12 参与
低维系统中关联无序效应对电子态的影响（10904070）国家自然科学基金资助 2010.01-2012.12 参与
联系方式
移动电话：13851901272
单位电话：025-85866171
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