陶志阔，男，导师。
简介：
博士，1981年9月生。 2004年6月毕业于南京大学物理系磁学专业，获学士学位，2010年3月毕业于南京大学物理系微电子学与固体电子学专业，获博士学位，2008年10月 至2009年4月通过教育部公派项目于澳大利亚悉尼大学进行合作研究，2010年3月至南京邮电大学电子科学与工程学院工作。 近年来，作为主要研究人员，参与并完成了多项国家“863”计划，“973”重点研究计划以及国家自然科学基金项目。目前作为项目负责人，承担国家自然科 学基金青年基金项目、江苏省高校自然科学基金项目和南京邮电大学引进人才基金项目各一项。迄今，在Journal of Crystal Growth，Applied Physics Letters, Chinese Physics Letters等国际SCI期刊、国内核心期刊上发表论文十余篇，获得多项专利授权。
研究方向为半导体材料与器件，磁电子材料与器件。尤其是以GaN为代表的III族氮化物光电信息材料、宽禁带磁性半导体材料、纳米磁性复合材料的电磁性能、光学性能研究，以及相关自旋电子学器件设计与特性研究。
Email：zhktao@163.com