姓名:
王曦
性别:
男
职务:
所长
职称:
研究员
学历:
博士研究生
通讯地址:
长宁路865号
电话:
62511070
邮政编码:
200050
传真:
62524192
电子邮件:
xwang@mail.sim.ac.cn
简历：
男，1966年8月出生，上海人，1987年毕业于清华大学，1990年和1993年在中国科学院上海冶金研究所获得材料物理硕士和博士学位，研究员，博士生导师，2009年当选为中国科学院院士。
1993年－1994年为上海微系统所助理研究员，其中1993年7月－1994年5月赴澳大利亚联邦科学与工业研究院访问学者。1994年－2004年历任上海微系统所副研究员、室副主任、研究员、室主任、所长助理，其中1996年5月－1998年6月作为“洪堡”学者赴德国罗森多夫研究中心访问研究，回国后任中国科学院离子束开发研究实验室主任。1998年获国务院颁发的政府特殊津贴，1999年获国家杰出青年科学基金。2004年4月起任上海微系统所党委副书记兼副所长。2007年1月起任上海微系统所党委书记兼副所长，国家中长期科学与技术发展规划“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”科技重大专项总体专家组副组长，上海新傲科技股份有限公司董事长。2009年3月起任上海微系统所党委书记、常务副所长，法定代表人。2010年8月当选为第十一届全国青年联合会副主席。2010年7月起任上海微系统所所长。中共十八大代表。
王曦同志自参加工作以来一直致力于载能粒子束与固体相互作用物理现象的研究，研究兴趣覆盖先进电子材料和功能薄层材料的研究与开发以及表面工程等，主持完成了包括国家“863”计划“超大规模集成电路配套材料”重大专项项目在内的多个国家级项目。他将研究成果应用于先进电子材料的人工合成，取得了一系列重要创新性研究成果，在AppliedPhysicsLetters等国际学术刊物发表论文100余篇，多次在国际学术会议上做邀请报告，并被选为该领域重要国际会议IBMM中国区唯一国际委员。尤其是在新一代硅基先进电子材料绝缘体上硅（SOI）领域，王曦领衔的研究团队在国内处于最领先地位，他创办的上海新傲科技股份有限公司成为继美国、日本和法国后全球第四个最重要的SOI材料研发中心。2008年制备出我国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破，
2006年王曦主持的“高端硅基SOI材料研究和产业化”项目获得国家科技进步一等奖，项目研究团队获得2007年中国科学院科技成就奖，2008年度“何梁何利基金科学与技术进步奖”。
已培养博士后2名，博士生4名，硕士生4名，现有博士生4名，硕士生1名。学术兼职：中国材料研究学会青年委员会、上海市半导体材料专业委员会主任，上海市真空学会等常务理事，复旦大学、中科院上海原子核研究所、中科院上海微系统与信息技术研究所以及中科院上海硅酸盐研究所等四个重点实验室学术委员会委员，国际BohmischeScientificMembers，美国JournalofVacuumScienceandTechnology、中国《科学通报》等杂志评审委员。