林国强
院系： 物理与光电工程学院
办公电话： 4708380-8301
电子信箱： gqlin@dlut.edu.cn
更新时间： 2008-6-25
其他专业： 等离子体物理
个人简介
学习简历：
2001年9月－2008年2月，大连理工大学材料科学与工程学院，获工学博士学位；
1985年9月－1988年7月，大连理工大学材料科学与工程系，获工学硕士学位；
1981年9月－1985年7月，大连工学院材料科学与工程系，获工学学士学位。
工作简历：
2006年5月－今，大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，教授，博士生导师；
1997年10月－-2006年5月，大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，副教授；
1996年12月－1997年10月，黑龙江电力科学研究院，高级工程师；
1988年9月－1996年12月，黑龙江电力科学研究院，工程师。
社会兼职
中国材料研究学会、机械工程学会、真空学会会员；
《金属学报》、《真空科学与技术》审稿人。
研究领域（研究课题）
薄膜科学与技术；
等离子体基薄膜制备原理与工艺。
硕博研究方向
1、结构与组元复合的超硬涂层多尺度设计及其沉积工艺，国家高技术研究发展计划（863）项目；
2、脉冲偏压离子镀的工艺基础，国家自然科学基金、国家高技术研究发展计划（863）项目；
3、质子交换膜燃料电池金属双极板镀膜改性，国家高技术研究发展计划（863）项目；
4、绝缘介质功能薄膜的脉冲合成机理及其制备技术。
出版著作和论文
[1]Guoqiang Lin, Zhenfeng Ding, Dong Qi, Chuang Dong*, Lishi Wen .Plasma load characteristics of pulsed-bias arc ion plating.J.Vac.Sci.Technol.,A，Vol.21，No.5，Sep/Oct （2003）1675-1679.
[2]Lin Guoqiang,Zhao YH,Guo HM,Wang DZ,Dong C*,Wen, LS. Experiments and theoretical explanation of droplet elimination phenomenon in pulsed-bias arc deposition. J.Vac.Sci.Technol.,A，22 (4): 1218-1222 Jul/Aug 2004.
[3]Lin Guoqiang, Bai Xiao, Zhao Yanhui,Dong Chuang*,Wen Lisi. Substrate Temperature Calculation for Pulsed Bias Arc Ion Plating. Surface and coatings technology,194(2005) 325-329.
[4]Guoqiang Lin, Zhenfeng Ding, Dong Qi,Dezhen Wang, Younian Wang, Chuang Dong*,Lishi Wen. Fundamental problems in pulsed-bias arc deposition. Acta Metallurgica Sinica (English Letters) Vol.15(1), 2002, p91-03.
[5]Zhao Yanhui,Lin Guoqiang*, Dong Chuang,Wen Lisi. Experimental Verification of the Physical Model for Droplet-Particles Cleaning in Pulsed Bias Arc Ion Plating. J.Mater.Sic.Technol., Vol.21 No.3,2005.423-426.
[6]Meidong Huang, Guoqiang Lin,Yanhui Zhao, Lishi Wen ,Chuang Dong*.Macro-Particle reduction mechanism in biased arc ion plating of TiN. Surf.Coat.Technol., 176(2003)109-114.
[7]Liu chenglong, Lin guoqiang, Yang dazhi, Qi min. In vitro corrosion behavior of multilayered Ti/TiN coating on biomedical AISI 316L stainless steel. Surface and coatings technology200（2006）4011-4016.
[8]林国强. 电弧离子镀硬质梯度薄膜技术. 真空科学与技术，2002（3）P224-227.
[9]赵彦辉，林国强*, 李晓娜,董闯,闻立时.脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响.金属学报, 2005,Vol41.No.10,p1106-1110.
[10]郭慧梅，林国强*，盛明裕，王德真，董闯，闻立时.大颗粒在等离子体鞘层中的受力分析与计算.金属学报，2004年10月，第40卷第10期P1064-1068.
工作成果（奖励、专利等）
获省部级二等奖1项：
1.辽宁省技术发明奖二等奖，电弧离子镀氮化钛铌超硬薄膜与超硬梯度薄膜，2005年.
获授权国家发明专利2项；
1．用电弧离子镀沉积氮化钛铌硬质薄膜的方法， ZL00108514.X ；
2．用电弧离子镀沉积氮化钛铌超硬质梯度薄膜的方法，ZL00108513.1。
申请国家发明专利3项：
1.脉冲偏压电弧离子镀钛/氮化钛纳米多层超硬薄膜的方法，申请号2004101554896。
2.一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰膜的设备和方法，申请号200610045720.5。
3.质子交换膜燃料电池不锈钢双极板离子镀膜改性方法，申请号200710011507.7。
在读学生人数
8
毕业学生人数
18