姓 名: | 韩郑生 | 性 别: | 男 |
职 务: | 职 称: | 研究员/教授 | |
学 历: | 硕士研究生 | 通讯地址: | 北京市朝阳区北土城西路3号 |
电 话: | 010－82995549 | 邮政编码: | 100029 |
传 真: | 电子邮件: | zshan@ime.ac.cn |
所属部门：
硅器件与集成技术研究室(一室)
简历：
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研究方向：
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学科类别：
社会任职：
获奖及荣誉：
“亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究”获2005年国家技术发明二等奖;“高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究”获2004年北京市科学技术一等奖;“0.18/0.1微米CMOS集成电路关键技术研究”获2004年北京市科学技术二等奖。
代表论著：
翻译专著《半导体制造技术》1部，参与编写《SOICMOS技术及其应用》第6章科学出版社，《中国材料工程大典》第11卷第3篇第3节化学工业出版社；发表论文100余篇。
承担科研项目情况：
负责或参与了多项重要国家科技项目研究。
973计划项目“纳米尺度硅集成电路器件与工艺基础研究（高性能低功耗新型纳米尺度MOS器件研究）”等。
备注：
培养研究生：10余名。