| 朱邦芬1948年1月出生于上海，1970年毕业于清华大学工程物理系，1981年获清华大学固体物理学硕士学位，1981年3月至2000年1月先后任中国科学院半导体研究所助理研究员、副研究员、研究员，期间多次出访，曾任美国UIUC等多所大学的客座教授。2000年1月任清华大学高等研究中心教授，2003年4月起被聘任清华大学物理系教授，系主任。2003年被选为中国科学院数理学部院士。现任中国物理学会凝聚态理论与统计物理专业委员会主任、“中国物理快报”副主编、“理论物理通讯”等刊物编委。 朱邦芬与黄昆先生一起确立了半导体超晶格光学声子模式的理论，被国际学术界命名为“黄朱模型”。这一系统理论引起了国际上普遍重视，多个著名实验室设计实验来检验黄朱模型。黄朱模型被国际学术界广泛接受，在多本国外专著及研究生教材中有整节介绍。朱邦芬在第二十届国际半导体物理会议作的40分钟邀请报告，是中国学者第一次在代表该领域最高学术水准的国际系列会议上作特邀报告。黄朱模型被广泛用于研究低维半导体物理、材料与器件研究。 朱邦芬建立了量子阱中激子旋量态波理论。在激子四分量旋量态波函数的基础上，他指出只有一个分量对激子光跃迁有贡献，给出了量子阱中正确的激子光跃迁选择定则，成功地将实验中观测到h12a峰指派为轻空穴激子2p态。以后，他又研究空间反演不对称性的量子阱系统的激子旋量态理论，解释GaAs量子阱较体材料几个量级增强的Pockels效应的实验。 朱邦芬和黄昆等一起建立了一个系统的量子阱中拉曼散射的微观理论，解决了宏观对称性分析不能解释的疑难问题，证明了在体材料中禁戒的弗洛里希散射在量子阱中允许的原因主要在于轻重空穴混合，并给出声子对称性、电声子互作用机制与光散射偏振配置三者之间的关系。理论所预言的外电场下拉曼散射特点，宇称禁戒激子态对喇曼散射可能的重要贡献，均被实验证实。 |