姓名：段宝兴
性别：男
职称：教授
学院：微电子学院
个人简介
陕西大荔人，博士，教授。
2000年、2004年在哈尔滨理工大学材料物理与化学专业获学士和硕士学位；2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。
2007年至2009年在西安电子科技大学做博士后研究，主要与杨银堂教授合作从事宽带隙半导体SiC功率器件设计，期间在台湾国立大学进行学术交流八个月，主要负责应变硅应变量表征技术研究。于2010年1月至2011年1月在香港科技大学作访问研究，从事宽带隙半导体GaN功率器件设计、仿真和工艺研究。
2009年博士后出站以人才引进方式评为副教授，2012年破格评为教授。
国际重要学术期刊《IEEE Electron Device Letters》、《Solid-State Electronics》、《Micro & Nano Letters》、《IEEE Transactions on Power Electronics》、《IETE Technical Review》审稿人。
国内期刊《半导体学报》、《微电子期刊》、《北京理工大学学报》审稿人。
主要研究方向
主要从事：
（1） 硅基功率器件与集成；
（2） 宽带隙半导体功率器件；
（3） 45nm后CMOS关键技术研究。
首次在国际上提出的优化功率器件新技术REBULF已成功应用于横向高压功率器件设计；与合作者提出的SOI 高压器件介质场增强ENDILF技术成功解决了高压器件纵向耐压受限问题；最近首次在国际上提出了完全3-D RESURF概念并已被国际同行认可。