2012年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研试题(回忆版)免费下载_上海交通大学研究生院考研资料下载中心-查字典考研网
 
请输入您要查询的关键词
  查字典考研网 >> 院校信息 >> 考研真题 >> 2012年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研试题(回忆版)

2012年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研试题(回忆版)

考研时间: 2012-01-31 来源:查字典考研网

上海交通大学2012年874半导体物理与器件基础考研试题(回忆版)

一.半导体光电发光效应基本原理及计算本征吸收限。考了三年了,充分说明半导体物理后面的光电磁效应部分没啥可以出题的了。

二.半导体光注入时的准费米能级计算。

三.金半接触:首先计算半导体的功函数。其次,根据半导体功函数与铝以及金的功函数比较,说明其形成的金半接触是阻挡层还是反阻挡层。15分

……

更多内容,请下载附件查看。

请点击以下链接进入《2012年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研试题(回忆版)》下载页面:

2012年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研试题(回忆版).pdf (112.54KB)

推荐文章
猜你喜欢
附近的人在看
推荐阅读
拓展阅读