简历：
江晓山 男 1974年5月出生， 北京人。1998年毕业于清华大学工程物理系。现为高能物理研究所研究员。
过去的主要工作与获得的成果：
在BESIII主漂移室电子学的升级改造中核心设计人员，之后继续负责各种探测器电子学的研发工作。目前主要从事高密度、高速及高精度电子学方面的研究。