一、基本情况
邢艳辉， 2001年毕业于长春理工大学光学工程专业，获硕士学位，同年到在北京工业大学电子信息与控制工程学院从事教学与科研工作，2008获北京工业大学微电子学与固体电子学博士学位。2007年获得“北京工业大学德育教育先进个人”，2009年获得“北京工业大学就业工作先进个人”。
二、科研工作
主要从事GaAs，GaN，InP，GeSi等半导体材料的光电特性测试分析工作，近年来主要利用高精度X射线双晶衍射（XRD）、光致发光（PL）、原子力显微镜（AFM）等测试仪器研究GaN材料特性及LED器件制备工作。工作期间作为骨干成员参加了包括国家自然科学基金、863、北京市自然科学基金、北京市教委等课题的研究。目前作为负责人主持北京市自然科学基金项目“MOCVD生长非极性a面GaN材料光电特性研究”的研究工作。
三、教学工作
主讲本科生课程：《热力学与统计物理》
四、论文
在国内外学术刊物发表论文30余篇，其中SCI、EI收录32篇，代表性论文：
1.Xing Yanhui, Han Jun, Deng Jun et al, Investigation of GaN layer grown on different low misoriented sapphire by MOCVD，Applied Surface Science 2009 255 (3) :6121 -6124
2. Xing Yanhui, Han Jun, Deng Jun, et al， Interrupted Mg doping of GaN with MOCVD for improved p-type layers. Vaccum 2007，82（9）：1-4
3.邢艳辉，邓军，李建军等，引入n型 InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究 物理学报 2009 58（1）：590-595
4. 邢艳辉,刘建平，邓军等，垒掺In提高InGaN/GaN多量子阱发光特性 物理学报 2007，56（12）：7295-7298
5.邢艳辉，韩军，邓军等，淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究 物理学报 2009 58（4）：2644-2648
6.邢艳辉, 邓军, 徐晨等，p型GaN低温粗化提高发光二极管特性 物理学报 2010 59（2）：1233-1236
五、联系方式
办公电话：010-67392503-814， 010-67392924-814
Email： xingyanhui@bjut.edu.cn