查字典查字典考研网快讯，据华南理工大学研究生院消息，2015年华南理工大学080903微电子学与固体电子学考研大纲已发布，详情如下：
862电子技术基础(含数字与模拟电路)考试大纲
一、考试目的：
《电子技术基础》主要考察学生全面系统地掌握电子技术的基本概念和基本电路，并且能灵活应用的能力。重点考察考生对电子技术的基本概念、基本原理和基本分析方法的掌握程度和利用其解决电子技术领域相关问题的能力，要求具有较强的分析和设计电路的能力。。
二、考试性质与范围：
本考试是一种测试应试者电子线路基本原理与应用的能力的尺度参照性水平考试。评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有较好的电子技术理论基础和技能。考试范围包括模拟电子技术和数字电子技术(详见考试内容)。
三、考试基本要求
1.掌握基本半导体器件的特性；
2.熟悉模拟电子技术的基本理论、基本方法和基本技能；
3.掌握模拟电子电路的分析、设计方法；
4.掌握门电路的结构、接口连接；熟练掌握数制与码制、逻辑代数基础；
5.掌握组合逻辑及时序逻辑电路的分析与设计；
6.掌握存储器的原理与使用；熟练掌握波形产生和整形电路ADC、DAC的分析。
四、考试形式
闭卷考试，满分150分，考试时间180分钟
五、考试内容：
考试内容包括模拟电子技术和数字电子技术。
(一)、模拟电子技术
1.晶体管（包括二极管、双极晶体管、MOS晶体管）的基本结构和放大、开关的工作原理、特性曲线、参数、处于三个工作区的条件和特点、小信号等效电路；
2.基本放大电路的三种电路组态及其特点（共发、共基、共集），基本放大电路的基本分析方法（静态工作点、负载线、电路增益、输入电阻和输出电阻），微变参数等效电路分析方法；
3.多级放大电路的耦合方式，直接耦合放大电路的零点漂移现象及其抑制措施，差分放大电路的分析与计算(静态工作点、差模电压放大倍数、差模输入电阻、输出电阻)；
4.集成运算放大器的结构特点、组成、电压传输特性，电流源电路的分析及计算；
5.放大电路的频率响应的基本概念、隔直电容、旁路电容对低频响应的影响，结电容、杂散电容对高频响应的影响，单级放大电路fl、fh的计算及波特图的画法，频率失真、增益带宽积和多级放大电路的频率响应；
6.放大器中反馈的概念、反馈类型及其性质、反馈的判别，反馈对放大电路性能的影响，反馈电路的计算，特别是深度负反馈电路的判别和计算，负反馈电路的自激条件；
7.运算放大器的电路分析、运放的开环运用和闭环运用的特点，虚短（地）和虚断、运放的性能参数、负反馈接法的运放的直流计算；
8.运放电路组成的运算电路（加、减、积分、微分、对数的工作原理及分析计算，有源滤波电路的分析方法和设计方法；
9.正弦波振荡器的起振条件及其判别，RC、LC正弦振荡电路的工作原理和振荡频率的计算，非正弦波产生电路的组成及工作原理；
10.功率放大电路的特殊问题及设计原则，典型功率放大单元电路(包括甲类、乙类、OCL电路)的工作原理和指标计算；
11.直流稳压电源的组成及各部分的作用，直流电源中整流电路、滤波电路、稳压电路的组成、工作原理和相关计算。
(二)、数字电子技术
1.数字逻辑基础
（1）数制和码制；二进制数和十进制数、八进制数、十六进制数的相互转换；
（2）三种基本逻辑运算、几种复合逻辑运算；
（3）逻辑函数的表示方法：函数式、真值表、逻辑电路图、卡诺图、波形图；表示法的相互转换；逻辑函数的基本定律及逻辑函数的代数法化简和变换；卡诺图的化简方法；
2.基本门电的结构及其工作原理（二极管的简单与、或、非门，TTL门电路的静态特性和动态特性，CMOS门电路静态特性和动态特性等。）
3.组合逻辑电路
（1）组合逻辑电路的含义、逻辑功能的描述；
（2)组合逻辑电路的分析和设计方法；
（3)常用集成组合逻辑器件（编码器、译码器、数据选择器、数值比较器、加法器、超前进位加法器，减法器）的逻辑功能及使用方法—分析由SSI、MSI构成的组合逻辑电路及用SSI、MSI设计组合逻辑电路；
（4）组合逻辑电路中的竞争冒险；
4.时序逻辑电路
（1)时序逻辑电路的分析和设计方法
（2）各种触发器的结构、逻辑功能及其描述方法；
（3）时序逻辑电路的含义；同步、异步时序电路的分析方法；
（4）时序逻辑电路的状态转换表、状态转换图、状态机流程图和时序图；
（5）常用时序逻辑电路（MSI：寄存器和移位寄存器、计数器）的功能及使用方法—分析由MSI构成的时序逻辑电路及用MSI设计时序逻辑电路；
（6）同步时序逻辑电路的设计、自启动设计（用触发器、MSI和门电路）；
5.脉冲波形的产生和整形
（1）施密特触发器的性能特点和电压传送特性；
（2）单稳态触发器工作原理；
（3）多谐振荡器工作原理。
6.半导体存储器的基本原理际及应用
（1）存储器的分类；存储器容量的计算和扩展；用存储器实现组合逻辑函数。
（2）常用半导体存储器：SRAM，DRAM，ROM（PROM、EPROM、EEPROM、FlasROM）等。
7.数/模和模/数转换器
（1）D／A和A／D变换的作用及分类方法。
（2）D／A转换器：权电阻DAC，倒T型电阻网络DAC的工作原理及技术参数，D／A转换器的转换精度、分辨率。
（3）A/D转换器：转换的四个步骤（采样、保持、量化、编码）、采样定理；逐次逼近型ADC的构成及原理；双积分型ADC；DAC的转换精度。
六、考试题型
分析论述题、计算题、作图题、推导题、电路设计题等。
846电介质物理学考试大纲
一、考试目的
《电介质物理学》作为微电子学与固体电子学专业硕士入学考试的专业基础课，其目的是考察考生是否适合于在该专业学习。
二、考试的性质与范围
本考试是一种测试应试者专业基础知识和综合应用能力的水平考试。考试范围包括基本概念、基础知识以及综合应用。
三、考试基本要求
1.有关电介质极化、损耗、电导和击穿、铁电晶体的概念和名词清晰。
2.电介质物理学的基础知识掌握扎实。
3.具有较强的分析问题和解决问题的能力。
四、考试形式
本考试由基本概念、基础知识、综合应用三部分构成。其中基本概念占50分，基础知识占70分，综合应用占30分。
五、考试内容（或知识点）
(一)电介质的极化
1.电介质的极化和介电常数
2.洛仑兹有效电场和克劳休斯-莫索缔方程
3.极化液体电介质的翁沙格有效电场
4.电介质极化的机理
5.电介质的介电常数及温度系数
6.离子晶体电介质中的极化
(二)电介质的损耗
1.电介质损耗的基本概念
2.极化过程的建立和吸收电流
3.实际电介质中的介质损耗
4.线性电介质在脉冲、交变电场作用下的松弛
5.松弛时间的分布
(三)电介质的电导和击穿
1.气体电介质的电导和击穿
2.固体电介质的电导
3.固体电介质的热击穿
4.固体电介质的电击穿
(四)铁电晶体
1.铁电晶体的自发极化
2.铁电体的结构相变
3.铁电晶体的电畴结构
4.反铁电晶体
5.铁电体的热力学理论
六、考试题型
填空题50分；简答题70分；综合题30分。
912半导体物理考试大纲
一、考试目的
本课程考试的目的是考察考生对半导体物理的基本概念、基本理论和基本分析方法的理解和掌握程度以及利用其解决半导体物理领域相关问题的能力。
二、考试的性质与范围
该入学考试是为微电子学与固体电子学硕士学位招收硕士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有较好的半导体物理基础理论知识，考试范围详见考试内容。
三、考试基本要求
要求考生系统掌握半导体物理学的基础理论，对基本概念有深刻的理解，并且能灵活应用，具有较强的分析问题和解决问题的能力。
四、考试形式
复试选考课程，笔试、闭卷
五、考试内容
1、半导体晶体结构和半导体的结合性质；
2、半导体中的电子状态：半导体能带的形成，Ge、Si、GaAs能带结构，有效质量、空穴、杂质和缺陷能级；
3、热平衡下半导体载流子的统计分布：状态密度、费米能级、本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；
4、半导体的导电性：半导体导电原理，载流子的漂移运动、迁移率、散射机构，半导体电阻率(电导率)随温度和杂质浓度的变化规律，强电场效应、热载流子，负阻效应；
5、非平衡载流子：非平衡载流子与准费米能级，非平衡载流子注入与复合，复合理论，非平衡载流子寿命，爱因斯坦关系，载流子漂移、扩散运动，缺陷效应，连续性方程；
6、pn结：平衡与非平衡pn结特点及其能带图，pn结的I-V特性、电容特性、开关特性、击穿特性；
7、金属和半导体接触：半导体表面态，表面电场效应，金属与半导体接触特性、MIS结构电容-电压特性，
8、半导体异质结：异质结的形成机理、能带图；
9、半导体的光学性质及光电效应：半导体的光吸收，半导体光电导，半导体光生伏特效应，半导体发光及半导体激光器；
10、半导体热电、磁电及压阻效应：半导体热传导及热电效应，半导体的霍耳效应，半导体的压阻效应。
六、考试题型
概念题、分析论述题、推导题、作图题、计算题
955微机系统与接口考试大纲
一、考试目的
本课程考试的目的是考察考生对微机系统与单片机系统的基本概念、基本理论和基本使用方法的理解和掌握程度以及利用其解决相关问题的能力。
二、考试的性质与范围
该入学考试是为微电子学与固体电子学硕士学位招收硕士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有较好的微机与单片机的基础理论知识，考试范围详见考试内容。
三、考试基本要求
要求考生系统掌握微机与单片机的基础理论，对基本概念有深刻的理解，并且能灵活应用，具有较强的分析问题和解决问题的能力。
四、考试形式
复试选考课程，笔试、闭卷
五、考试内容
1.微机中数据和非数据的表示方式,微机基本工作原理.单片计算机概述，重点要求掌握数制之间的转换.
2.了解8086/8088CPU内部结构,引脚及功能,系统组织,CPU时序.重点要求掌握8086的内部结构和工作时序.
3.了解寻址方式及8086指令系统中各类指令:数据传送类指令,算术运算类指令,逻辑运算与移位指令,字符串处理指令,控制转移指令,处理器控制指令。以上内容重在应用
4.了解汇编语言程序结构与语句格式,汇编语言程序伪指令语句,汇编语言程序设计基础,模块化程序设计技术。掌握程序编写的相关方法和技巧,会编写简单的应用程序.
5.半导体存储器性能指标及其分类,存储器连接与扩展.重点掌握不同类型存储器的特点,并能够应用在实际的芯片选择方面.同时要求掌握存储器扩展的方法以及扩展后的连线.
6.中断的理解,中断子程序的编写以及中断的调用。
7.可编程定时/计数器8253及可编程并行通信接口芯片8255A，重点要求掌握各芯片的工作模式并能就实际问题选择相应的模式并完成芯片的初始化编程.
8.MCS-51微处理器CPU组成、储存器及储存空间、并行I/O口。定时器/计数器技术。中断技术。串行通信技术。
9.MCS-51单片机的指令系统，重点在寻址方式、某些重要指令的应用引导及汇编语言程序设计。
10.MCS-51单片机系统功能扩展，重点在常用扩展器件、存储器扩展、I/O口扩展。
11.单片机的接口与系统设计，重点在键盘、LED显示器、A/D转换器、D/A转换器等接口技术，接地布线的抗干扰。
六、考试题型
概念题、分析论述题、推导题、作图题、计算题
995无源电子元器件导论考试大纲
一、考试目的
《无源电子元器件导论》作为微电子学与固体电子学专业硕士复试笔试科目，其目的是考察考生对专业知识的掌握程度。
二、考试的性质与范围
本考试是一种测试应试者了解和掌握三大无源元件(电阻、电容和电感)基础知识的水平考试。考试范围包括基本概念、基础知识。
三、考试基本要求
1.有关电阻器、电容器及电感器的概念和名词。
2.电阻器、电容器及电感器的常见产品结构。
3.电阻器、电容器及电感器的基本性能参数。
四、考试形式
本考试由概念和名词、基础知识两部分构成。其中概念和名词约占40%，基础知识约占60%。
五、考试内容（或知识点）
(一)电阻器
1.电阻器的分类
2.电阻器的基本性能
阻值、温度特性、电压非线性、负荷系数、功率负荷、等效电路与高频特性、噪声特性、可靠性
3.电位器的基本性能
分类、主要特性参数、主要构件
4.非接触式电位器基本原理
(二)电容器
1.电容器的分类
2.电容器的基本性能
电容量、绝缘性能、吸收现象与吸收系数、损耗、温度特性、额定工作电压与击穿、可靠性
(三)电感器
1.电感器的分类
2.电感器的基本性能与应用
六、考试题型
名词解释和简答题。