一、适用专业：
集成电路工程
二、参考书目：
1.关旭东.硅集成电路工艺基础.第一版.北京：北京大学出版社（2003.10）
三、考试内容与基本要求：
第一章
内容：硅的晶体结构及半导体材料制备方法。
要求：掌握基本概念及半导体材料制备工艺流程。
第二章
内容：晶体管工艺结构、集成电路工艺结构、集成电路平面工艺流程。
要求：掌握器件结构图及主要工艺过程。
第三章
内容：SiO2的结构及性质及氧化工艺原理。
要求：掌握基本概念及工艺流程，氧化层厚度计算。
第四章
内容：扩散系数与扩散方程、扩散工艺与设备。
要求：掌握基本概念及工艺流程，扩散结深的计算。
第五章
内容：硅气相外延的基本原理、杂质分布、外延工艺过程及设备。
要求：掌握基本概念及工艺流程。
第六章
内容：离子注入工艺原理。
要求：掌握基本工艺流程、注入结深与杂质分布等的计算。
第七章
内容：光刻工艺流程、光刻胶属性及曝光技术。
要求：掌握基本工艺流程及主要曝光技术。
第八章
内容：光刻掩模版制备工艺原理及掩模版制备工艺过程。
要求：掌握工艺原理及工作流程。